今天手机和平板电脑之类的电子产品在功能方面已大大增多，加上为着消费者便于携带，产品本身需要微型化才合乎市场需求，这种需求揭开了动半导体工业迎战巨大市场挑战的序幕。

科学家共同在有限的空间，一块小小的芯片上构造更多的器件来增加记忆、增加功能；现今单在一块晶圆上就有几十层的器件，而光蚀刻仍是目前最普遍可靠的工艺。一连串追求更低分辨率（Resolution）的竞赛开始了，所以对数值孔径（Numerical Aperture NA）的要求越来越高；光源波长越来越小；光栅设计人员想尽办法以光学临近修正法（Optical Proximity Correction）将光蚀刻各环节出现的图像误差，通过修改原设计得以改善最终图像的分辨率；转移图像又由单图像改成到双图像（double patterning)，甚至4图像（quadruple patterning）， 纵使以上这些光学（optics）方面的进展我们有目共睹，更大的进展也得与光刻工艺中的化学部分配合，亦即是光刻胶（photoresist）的配合。

长期以来光刻胶经过曝光后来到到化学显影，一直都是比较棘手的一个步骤。
怎样精确地在指定区域保留或完全溶解掉并洗走，在纳米级情况下更觉困难。

对比值 (gamma γ) 被认为是鉴定光刻胶高曝光区和非曝光区的浴解度差别, 是提高分辨率的关键。



如敏感度（Eth ）以及抑制剂浓度（M），这些数值不单对光刻胶生产商又帮助，亦可以供参考用于生产光刻胶的主要成分, 例如光敏化合物/光话性化合物(PAC)和光致产酸剂( PAG )

还有对一些要求甚高的光刻胶生产商希望最终光刻效果能明显减低器件边墙粗糙和线边粗糙（Sidewall Roughness/LER），酸扩散值（Diffusion Length）和表面不容化值（Surface Insolubility）都是需要好好掌握的数据。

RDA系列光刻胶显影分析仪是LTJ的代表作。
18频道同时在最大8“硅片上进行分析，既能省时间又增加准确性。
在日本和韩国，几乎所有光刻胶或生产光刻胶材料的制造商都用LTJ RDA分析仪帮助准确获得其性能的数据，大大提高光蚀刻模拟试验的可靠性。